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Humboldt-Universität zu Berlin - Mathematisch-Naturwissen­schaft­liche Fakultät - Institut für Physik

Humboldt-Universität zu Berlin | Mathematisch-Naturwissen­schaft­liche Fakultät | Institut für Physik | Kolloquium | Termine der Arbeitsgruppen | Doppelvortrag Dr. G. G. Tarasov, Institute for Semiconductor Physics NAS Ukraine

Doppelvortrag Dr. G. G. Tarasov, Institute for Semiconductor Physics NAS Ukraine

Dr. Tarasov spricht über seine Forschung an neuen Halbleitermaterialien, ein Thema mit großer Zukunft in der Telekommunikation
Wann 02.07.2014 von 13:15 bis 16:45 (Europe/Berlin / UTC200) iCal
Wo Newtonstraße 14.Walther-Nernst-Haus, Lehrgebäude, Hörsaal 007
Kontaktname
Kontakt Telefon 030 2093-7650
Website Externe Website öffnen

Anfang Juli heißt die AG FET Herrn Dr. Georgyi Tarasov vom Institut für Physik der Nationalen Akademie der Wissenschaften der Ukraine (NAS) in Kiew herzlich willkommen.

Dr. Tarasov forscht auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und hat ein spezielles Interesse an bismuthaltigen Halbleitermaterialien. Diese Materialien sind bislang wenig erforscht, besitzen aber das Potenzial, die Technologie auf dem Gebiet der mobilen Kommunikation grundlegend zu revolutionieren.

Dr. Tarasov besucht unser Institut im Rahmen der durch die Exzellenzinitiative geförderten KOSMOS-Dialoge. Die Veranstaltung richtet sich besonders an Physik-Studenten, aber auch alle anderen Studenten und Mitarbeiter der HU und ihre Gäste haben die Gelegenheit, in zwei Vorträgen und einer Fragerunde mehr über Dr. Tarasovs Arbeit zu erfahren. Für Erfrischungen zwischen den Vorträgen ist gesorgt. In begrenztem Umfang stehen USB-Sticks mit dem Skript von Dr. Tarasovs Vorträgen zur Verfügung.

Die Veranstaltung findet ab 13 Uhr im Hörsaal 007 des Chemie-Lehrgebäudes

in der Newtonstr. 14 in Adlershof statt.

 

Programm

13.15   Optical properties of novel materials for optoelectronic applications: dilute bismides heterostructures

14.45   Erfrischungspause

15.15   Spectroscopic study of hybrid nanostructures: InAs/GaAs quantum dot - InxGa1-xAs/GaAs quantum well heterostructures

Anschließend Fragerunde.